Všechny topologie vyžadují rychlé přepínání výkonových spínačů. Zesilovací stupeň a stupeň konverze plného můstku vyžadují rychlé spínací diody. Kromě toho jsou pro tyto topologie užitečné také přepínače optimalizované pro nízkofrekvenční (100Hz) konverzi. Pro jakoukoli konkrétní křemíkovou technologii mají spínače optimalizované pro rychlé spínání vyšší ztráty ve vedení než spínače optimalizované pro nízkofrekvenční spínací aplikace.

Zesilovací stupeň je obecně navržen jako kontinuální proudový měnič. Podle počtu solárních modulů v poli používaném střídačem zvolte, zda chcete použít 600V nebo 1200V zařízení. Dvě možnosti pro výkonové spínače jsou MOSFET a IGBT. Obecně řečeno, MOSFET může pracovat při vyšší spínací frekvenci než IGBT. Kromě toho je třeba vždy vzít v úvahu vliv diody v těle: v případě zesilovacího stupně není žádný problém, protože dioda těla v normálním provozním režimu nevede. Ztrátu vedení MOSFETu lze vypočítat na základě odporu vedení RDS(ON). Pro danou sérii MOSFET je to úměrné efektivní ploše matrice. Když se jmenovité napětí změní z 600V na 1200V, ztráta vedení MOSFETu se výrazně zvýší. Proto, i když je jmenovité RDS(ON) ekvivalentní, 1200V MOSFET není k dispozici nebo je cena příliš vysoká.

Prosím, podívejte se a lépe nám porozumějte:

20000 watt pure sine wave ac inverter